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BP87526H

样品申请

简述

BP87526H 是一款高性能、、高集成度、、低待机功耗、、高频准谐振反激驱动芯片。�！！Ｄ谥� 800V高压 MOSFET，，集成高压启动电路、、高压辅助供电电路，，适用于高效率、、小体积、、高可靠性、、宽输出电压规模的 35~55 W 反激变换器应用。�！！� BP87526H 支持自顺应COT控制方式，，吸收息争调配对的副边控制器发送到原边的脉冲信号，，同时检测原边漏极电压谷底控制原边功率管的开通，，实现较高的效率。�！！＝幽葾daptiveCOT控制方式和原副边磁耦通讯，，大幅度降低了控制电路的静态事情电流，，使得系统待机功耗小于30 mW，，可以知足待机功耗要求较高的应用场合。�！！８ㄖ┑缫拍脱箍傻执�150V，，能知足宽输出电压规模。�！！�

优势

内置 800V高压 MOSFET

集成高压启动

150V辅助供电耐压，，知足宽输出电压规模

自顺应 COT控制，，快速的动态响应

磁耦通讯实现超低待机功耗，，<30 mW

QR 谷底开通，，优化效率和 EMI特征

最高可达 140 kHz 开关频率

应用领域